CPU制造：第五階段圖文直播：

　　光刻膠：再次澆上光刻膠(藍色部分)，然后光刻，并洗掉曝光的部分，剩下的光刻膠還是用來保護不會離子注入的那部分材料。

　　離子注入(Ion Implantation)：在真空系統中，用經過加速的、要摻雜的原子的離子照射(注入)固體材料，從而在被注入的區域形成特殊的注入層，并改變這些區域的硅的導電性。經過電場加速后，注入的離子流的速度可以超過30萬千米每小時。

　　清除光刻膠：離子注入完成后，光刻膠也被清除，而注入區域(綠色部分)也已摻雜，注入了不同的原子。注意這時候的綠色和之前已經有所不同。

第五階段合影步驟圖

　　CPU制造：第六階段圖文直播：

　　晶體管就緒：至此，晶體管已經基本完成。在絕緣材(品紅色)上蝕刻出三個孔洞，并填充銅，以便和其它晶體管互連。

　　電鍍：在晶圓上電鍍一層硫酸銅，將銅離子沉淀到晶體管上。銅離子會從正極(陽極)走向負極(陰極)。

　　銅層：電鍍完成后，銅離子沉積在晶圓表面，形成一個薄薄的銅層。

第六階段合影步驟圖